高溫反向偏壓試驗(yàn)(High-Temperature Reverse-Bias, HTRB)是一項(xiàng)用于評(píng)估半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期可靠性的重要測(cè)試。以下是對(duì)HTRB試驗(yàn)的全面了解:試驗(yàn)背景AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn):HTRB試驗(yàn)是AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中的Group B加速壽命模擬試驗(yàn)...
高溫反向偏壓試驗(yàn)(High-Temperature Reverse-Bias, HTRB)是一項(xiàng)用于評(píng)估半導(dǎo)體器件長(zhǎng)期可靠性的重要測(cè)試。以下是對(duì)HTRB試驗(yàn)的全面了解:
試驗(yàn)背景
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn):HTRB試驗(yàn)是AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中的Group B加速壽命模擬試驗(yàn)的一部分,該標(biāo)準(zhǔn)廣泛用于汽車(chē)級(jí)、工業(yè)級(jí)和軍用級(jí)半導(dǎo)體器件的測(cè)試。
軍用級(jí)參考:HTRB試驗(yàn)方法參考了MIL-STD-750方法1038條件A(適用于二極管、整流器和齊納管)和M1039條件A(適用于晶體管)。
試驗(yàn)?zāi)康?/span>
缺陷識(shí)別:HTRB旨在識(shí)別制造過(guò)程中產(chǎn)生的潛在缺陷,這些缺陷在未進(jìn)行老化處理的情況下可能導(dǎo)致器件過(guò)早失效。
故障模式揭示:通過(guò)在特定條件下運(yùn)行半導(dǎo)體器件,HTRB試驗(yàn)揭示了由時(shí)間和應(yīng)力引起的電氣故障模式。
試驗(yàn)條件
電壓與溫度:根據(jù)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),測(cè)試在最大直流反向電壓下進(jìn)行1000小時(shí),同時(shí)控制結(jié)溫以防止熱失控,環(huán)境溫度TA可以根據(jù)需要從Ta(MAX)向下調(diào)整。
批量測(cè)試:標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)3批*77顆器件進(jìn)行同時(shí)測(cè)試,以確保數(shù)據(jù)的代表性和統(tǒng)計(jì)意義。
實(shí)時(shí)監(jiān)控:測(cè)試過(guò)程中需實(shí)時(shí)監(jiān)控漏電流,并在老化前后測(cè)量器件的靜態(tài)參數(shù)。
試驗(yàn)前的電性能參數(shù)
參數(shù)測(cè)量:試驗(yàn)前后需對(duì)器件進(jìn)行基本的靜態(tài)參數(shù)測(cè)量,確保所有性能參數(shù)符合用戶(hù)零件規(guī)范的要求。
失效判定標(biāo)準(zhǔn)
性能參數(shù):器件在試驗(yàn)后應(yīng)繼續(xù)符合用戶(hù)零件規(guī)范中定義的性能參數(shù)要求。
參數(shù)變化:試驗(yàn)后的電性能參數(shù)變化應(yīng)保持在初始值的±20%以?xún)?nèi)。
泄漏電流:允許的泄漏電流不超過(guò)試驗(yàn)前初始值的5倍。
物理?yè)p壞:器件外觀不得出現(xiàn)任何由試驗(yàn)引起的物理?yè)p壞。
HTRB試驗(yàn)是確保半導(dǎo)體器件在高溫和高電壓條件下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作的重要手段,對(duì)于汽車(chē)、工業(yè)和軍事等對(duì)可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域尤為關(guān)鍵。通過(guò)這項(xiàng)試驗(yàn),制造商能夠識(shí)別并改進(jìn)器件設(shè)計(jì),提高產(chǎn)品的整體質(zhì)量和可靠性。
金凱博碳化硅SiC車(chē)規(guī)級(jí)動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)具有80個(gè)測(cè)試通道、每個(gè)通道獨(dú)立控制;實(shí)時(shí)保存測(cè)試結(jié)果,生成測(cè)試報(bào)告;具有防燙、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù);支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表等眾多優(yōu)勢(shì)性能。并具有高溫高壓高頻高精度脈沖源:dv/dt>50v/ns、頻率50KHz;高精度測(cè)試:電流分辨率10pA,電壓分辨率100nV;多參數(shù)測(cè)量:Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、lgss漏電流、ldss漏電流、溫度,功能完備并有可擴(kuò)展性。
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