一流的電子測控設(shè)備與
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第三代功率半導(dǎo)體器件動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
了解更多KC-3105
現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。與 HTRB高溫偏置試驗一 一對應(yīng)，AQG324 該規(guī)定了動態(tài)偏置試驗，即動態(tài)高溫反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）
功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(生產(chǎn)端)
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設(shè)備簡介KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）,高...
功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
了解更多KC3120
設(shè)備簡介KC3120功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態(tài)參數(shù)測試，如開通時間、關(guān)斷時間、上升時間、下降時間、導(dǎo)通延遲時間、關(guān)斷延遲時間、開通損耗、...
功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)(實驗室)
了解更多KC3110
設(shè)備簡介KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實現(xiàn)精確測量和參數(shù)分析，漏電流測試...
IGCT自動測試系統(tǒng)
了解更多KC3106
IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件，適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中，是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
多通道絕緣電阻測試設(shè)備
了解更多KC3104
設(shè)備簡介1．產(chǎn)品位置糾偏抓取，自動識別正反;2.自動測試，良品/不良品分類;3.換產(chǎn)只需更換對應(yīng)的工裝;4．儀器功能可拓展;5．絕緣電阻≥1X109/Q,DC500V;生產(chǎn)效率UPH≥300PCS應(yīng)用行業(yè)半導(dǎo)體、IC、PCBA、芯片等產(chǎn)品的自...
