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高溫反偏試驗（High Temperature Reverse Bias Test，簡稱HTRB）是一種用于評估半導(dǎo)體器件可靠性的重要測試方法。該試驗通過在高溫條件下施加反向電壓，觀察器件隨時間增加的漏電流變化，以判斷其是否會出現(xiàn)失效。此測試適用于多種功率半導(dǎo)體器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、雙極型晶體管（BJT）、硅控整流器（SCR）以及GaN基器件等。

HTRB測試的關(guān)鍵要素可以概括為以下三個方面：

1、溫度設(shè)置：測試溫度的設(shè)定需依據(jù)被測器件的材料特性和相關(guān)的測試標(biāo)準(zhǔn)。例如，肖特基二極管可能在100℃下進(jìn)行測試，而玻璃鈍化器件的測試溫度可能達(dá)到150℃。另外，根據(jù)采用的測試標(biāo)準(zhǔn)，如JESD22-A108，測試溫度可能設(shè)定為125℃、150℃或175℃。當(dāng)前，測試溫度的設(shè)定參照多種標(biāo)準(zhǔn)，包括美軍標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)、JEDEC、IEC、AEC標(biāo)準(zhǔn)以及企業(yè)自定義標(biāo)準(zhǔn)。

2、反向電壓的確定：HTRB測試中施加的反向電壓通?；谄骷念~定耐壓值，一般取其80%作為試驗電壓。結(jié)合高溫環(huán)境，測量器件的漏電流，以此來評估其長期穩(wěn)定性及可靠性。

3、測試持續(xù)時間：標(biāo)準(zhǔn)的測試持續(xù)時間包括168小時、500小時和1000小時等，但實際測試時長會根據(jù)用戶的具體需求而定。對于要求更為嚴(yán)格的應(yīng)用，如汽車電子或軍工領(lǐng)域，測試條件和持續(xù)時間會更加苛刻，以確保篩選出更高可靠性的芯片或器件。

通過上述三個關(guān)鍵方面的綜合考量，高溫反偏試驗?zāi)軌蛉嬖u估功率半導(dǎo)體器件在高溫和長時間工作條件下的性能穩(wěn)定性。此外，這種測試對老化板和老化測試座的耐高溫性能和耐久性也提出了更高要求。

金凱博碳化硅SiC車規(guī)級動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)具有80個測試通道、每個通道獨立控制；實時保存測試結(jié)果，生成測試報告；具有防燙、過流、過壓保護(hù)；支持?jǐn)U展外接標(biāo)準(zhǔn)儀表等眾多優(yōu)勢性能。并具有高溫高壓高頻高精度脈沖源：dv/dt>50v/ns、頻率50KHz；高精度測試：電流分辨率10pA，電壓分辨率100nV；多參數(shù)測量：Vsd電壓、Vgsth電壓、Rds電阻、lgss漏電流、ldss漏電流、溫度，功能完備并有可擴(kuò)展性。